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天津科億維(查看)-KPEL-M系列低電壓高電流直流電子負(fù)載

普通的能耗性電子負(fù)載不僅耗能耗電，本身的體積和重量也非常大。10KW的能耗型負(fù)載體積至少要12U，不但搬運(yùn)困難，成本較高。能量回饋式直流電子負(fù)載采用高功率密度設(shè)計(jì)，3U體積內(nèi)可提供高達(dá)10.5KW的功率吸收。同樣的輸出功率，體積減少了76.9%。直流電子負(fù)載在 CC 模式下可以進(jìn)行動(dòng)態(tài)測(cè)試功能，根據(jù)設(shè)定規(guī)則使電子負(fù)載在兩種設(shè)定參數(shù)間切換，用來(lái)測(cè)試電源的動(dòng)態(tài)特性，查看電源在拉載電流階躍變化時(shí)自身穩(wěn)定的能力。動(dòng)態(tài)測(cè)試模式可分為連續(xù)模式，脈沖模式及翻轉(zhuǎn)模式。

負(fù)載效應(yīng)測(cè)試

　　負(fù)載效應(yīng)是一項(xiàng)靜態(tài)的性能測(cè)試,為被測(cè)電源,在預(yù)定負(fù)載變化條件下,輸出保持穩(wěn)定的能力.電子負(fù)載提供的負(fù)載效應(yīng)測(cè)試功能:

　　負(fù)載效應(yīng)測(cè)試過(guò)程中,連接線的影響量非常顯著,為補(bǔ)償連接線的影響,建議用戶使能電子負(fù)載的遠(yuǎn)端補(bǔ)償功能.

PARD測(cè)試

　　PARD是在其它參數(shù)恒定的條件下,在規(guī)定帶寬內(nèi)直流輸出電壓對(duì)其平均值的周期性和隨機(jī)性偏離,PARD用有效值或峰峰值度量,通常規(guī)定帶寬為20Hz~20MHz.至于采用有效值還是峰峰值,則要看使用場(chǎng)合,峰峰值度量能提供幅度,短持續(xù)時(shí)間尖峰的信息,而有效值則有利于確定預(yù)期的信噪比.

　　電子負(fù)載提供的實(shí)時(shí)Vpp,Ipp顯示,這是峰峰值度量的PARD,其帶寬也受限于采樣頻率(500KHz),因此,這與一般意義上的PARD有一定出入,如果被測(cè)電源需要檢測(cè)更高頻率的PARD,就必須借助更高帶寬的示波器.如果需要檢測(cè)PARD有效值,就必須借助高帶寬的真有效值電壓表.

電子負(fù)載儀以增強(qiáng)AVRRISC結(jié)構(gòu)的ATmega16控制器為核心，設(shè)計(jì)并制作了直流電子負(fù)載儀。

系統(tǒng)通過(guò)斜波發(fā)生器產(chǎn)生的鋸齒波和電流采樣信號(hào)與控制信號(hào)的誤差信號(hào)作比較產(chǎn)生約20kHz的PWM波控制MOSFET管工作，然后經(jīng)過(guò)誤差放大器的PI調(diào)節(jié)構(gòu)成閉環(huán)負(fù)反饋控制環(huán)路，實(shí)現(xiàn)恒流。

恒阻和恒壓模式通過(guò)軟件實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)流過(guò)MOS管電路的電流實(shí)現(xiàn)。

實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，系統(tǒng)恒流模式下精度在l%以內(nèi)，恒阻與恒功率模式下精度在3%以內(nèi)。

電子負(fù)載儀是基于電力電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)和自動(dòng)控制技術(shù)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的一種電力電子裝置；可以模擬各種負(fù)載特性，具有使用靈活和節(jié)約能源等優(yōu)點(diǎn)。

用來(lái)測(cè)試電源的，對(duì)電源進(jìn)行可靠性試驗(yàn)（老化放電試驗(yàn)）、輸出特性試驗(yàn)等，以考驗(yàn)其技術(shù)指標(biāo)和性能。